2014/03/07

11 ways to tie a scarf


記憶體10年技術演進史,系統顆粒DDR與顯示顆粒GDDR差在哪?

記憶體10年技術演進史,系統顆粒DDR與顯示顆粒GDDR差在哪?

系統記憶體與顯示卡記憶體的需求有何差別?DDR與GDDR系列彼此相依相生的關係又是什麼?本篇要從規格與歷史角度來探討記憶體的發展與運作原理,讓你了解系統DDR、DDR2、DDR3記憶體與顯示卡使用的GDDR、GDDR2、GDDR3、GDDR5記憶體的前世今生。

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備註:本文章節有連貫性,建議依序閱讀。

傳輸效率是進步的動力

雖然CPU、GPU每年都會更換一次規格,但是記憶體規格一但制定可就長命的多,因為記憶體產業牽扯較廣,一般而言不會輕易更動規格。但也因為CPU與GPU發展過快,資料傳遞量與速度隨之提升,為了避免記憶體成為資料傳遞上的瓶頸,廠商還是會想盡辦法增加記憶體與系統之間的傳輸效率。舉凡來說,像是近幾年Intel與AMD都將記憶體控制器(Memory Controller)整合進CPU內,為的就是避免資料繞道晶片組造成效能減損。
此外,像是推行許久的雙通道技術、X58支援的三通道、X79支援的四通道記憶體技術,都是為了提升頻寬,或者說是傳輸效率而生。顯示卡方面,AMD與NVIDIA也增加記憶體控制器的介面頻寬(Interface Width),像是AMD的R9 290X就是使用512 bit記憶體控制器,而NVIDIA現在頂級卡GTX 780 Ti用的則是384 bit,多年前GTX 285則曾用過512 bit的記憶體控制器。為什麼廠商要這麼大費周章從CPU或GPU端提升效率,而不從記憶體著手呢?因為記憶體牽扯多項產業,加上發展速度較慢無法說改就改。
▲多通道技術就是為了提升效能,圖為支援四通道的Intel X79主機板。
▲未來CPU除記憶體控制器外,像是AMD Kabini連南北橋都整合了。

動態存取就像漏水的水桶

不論是系統或是顯示卡使用的記憶體英文皆為Memory,全名為Dynamic Random Access Memory動態隨機存取記憶體,簡稱為DRAM。記憶體運作時與硬碟使用磁性技術不同,是使用電容內儲存的電荷多寡,來代表每個位元(bit)代表為1或是0。雖然理論上是如此,實作上還是會有電容還是會有漏電現象,除非電容周期性地充放電,否則記憶體內的資料(電荷)會在幾毫秒內漏光。
舉個例子來說,記憶體就像是個水桶,但這水桶底端會漏水(漏電現象)。當水桶滿水時,代表該位元為1,反之若水位不足則代表0。水桶底端會漏水,為了避免水位過低從1變成0,於是上方的水龍頭必須定時加水(充電)讓水位維持住,這就是記憶體的運作方式。在現實狀況中,加水(充電)的動作每秒得進行幾千次。
「靜態」隨機存取記憶體?
當然有動態相對來說就有「靜態」的SRAM(Static Random-Access Memory),只要通電就能保存資料,但斷電後資料依然會消失。至於斷電後能儲存資料的ROM(Read-Only Memory,唯讀記憶體)與Flash Memory(快閃記憶體)又是不同的種類。

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DRAM結構性瓶頸

記憶體的基本架構說簡單也簡單,就是由電晶體管與電容組成。先前也提過現實中不可避免地造成漏電現象,若電荷過少會造成資料錯誤,像是把1判讀成0,而這周期性地充電就是DRAM的特點。也因為物理與技術的限制,充電需要時間速度不可能無限提升(頻障),導致DRAM時脈容易達到上限,即便是透過製程精進也難以改變。
早期FP(Fast Page)與EDO(Extended Data Out)受到製程限制,當時的時脈僅有25MHz、50MHz。到了SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態隨機存取記憶體)時期,時脈一路從66MHz提升至133MHz。此時碰到了瓶頸,時脈無法有效地提升,SDR SDRAM之後的DDR(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱DDR SDRAM或DDR)、DDR2、DDR3官方(JEDEC)核心時脈大多在100~200MHz之間,超頻版也多在250MHz徘徊,高時脈的不穩定性導致實用性不佳。但你要說,DDR時脈怎麼會只有100MHz?那DDR-400是什麼?這裡就要來說說核心時脈、I/O時脈與等效時脈的關係。
▲受到製程與技術限制,早期記憶體時脈不到100MHz。
▲記憶體世代交替時,新產品的表現不見得優於舊產品。
▲記憶體是由陣列組成,每bit單元是由電容與電晶體管組成。來源:wikipedia

碰到瓶頸拿I/O當切入點

記憶體的核心時脈受到充電機制的影響,不能無限制地提升,這就是先前所說的電容充電頻率限制。既然核心時脈無法提升,那能不能透過某個機制轉換呢?於是透過改變I/O Buffer(輸入/輸出緩衝單元)的方法就誕生了,後來大家熟知的DDR、DDR2、DDR3以及顯示記憶體用的GDDR等產品都是應用該技術提升時脈。
其中DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等規格,指的並非核心時脈,剛剛說過因為充電機制限制,核心時脈其實只有133~200MHz不等。DDR時期的產品,不能只看核心時脈,記憶體共有3個影響時脈的關鍵,分別是核心時脈、I/O Buffer,以及最後的等效時脈(資料傳送頻率),三者互相影響才有所謂的DDR記憶體。
▲圖中可以看出,各代DDR顆粒核心時脈相同情況下,大多是透過I/O與預取技術增加傳輸效能。備註:核心頻率=核心時脈,時鐘頻率=I/O時脈,數據傳輸率=記憶體頻寬。來源:PCPOP
▲核心時脈都在133~200MHz之間,各代DDR顆粒主要差異在於I/O時脈。

記憶體的預取原理

DDR最重要的革新,就是所謂Prefetch(預取)技術,DDR、DDR2、DDR3的分別採用2bit、4bit、8bit預取技術,藉此得以讓時脈翻倍。預取簡單來說,就是在I/O控制器發出請求之前,預先準備好2bit、4bit、8bit的資料。可將其視為並行(Parallel)轉換為串行(Serial),有點類似多通道或RAID技術。其轉換類似多條水管連接到某個裝置,若輸出的水管口徑相同,那麼水壓(速率)必定提升。了解完記憶體的運作與預取原理,了解各類型DRAM就有基本概念了,接下來我們來看看SDRAM各時期記憶體的特色與差異。
▲各代DDR主要差異在於預取的量,透過並行(Parallel)轉換為串行(Serial)的方式提升效能。

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SDR SDRAM:單資料率同步動態隨機存取記憶體

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory的簡稱,字首的Synchronous就告訴大家這種記憶體的特性,也就是同步。而SDR SDRAM的核心、I/O、等效時脈皆相同,像是PC133規格的記憶體,其核心、I/O、等效時脈都是133MHz。而SDR指的是Single Data Rate,SDR SDRAM在1個周期內只能讀寫1次,若需要同時寫入與讀取,必須等到先前的指令執行完畢,才能接著存取。
▲SDR SDRAM已經相當少見,金手指防呆位置有2處。來源:eBay
▲黑點就是SDR與DDR的差別,單一時脈內可傳輸的指令量DDR是SDR的2倍。來源:bit-tech
▲DDR系列多了DQS,有助於提升傳輸效率。來源:bit-tech

DDR SDRAM:雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體

DDR SDRAM亦為SDRAM家族的產品,其中DDR指的是Double Data Rate,有別於SDR(Single Data Rate)單一周期內只能讀寫1次,DDR的雙倍指的就是單一周期內可讀取或寫入2次。在核心時脈不變的情況下,傳輸效率為SDR SDRAM的2倍。第一代DDR的預取為2bit,是SDR的2倍,運作時I/O會預取2bit的資料。此時DDR記憶體的等效時脈約為266~400MHz不等,像是DDR-266、DDR-400都是這個時期的產品。
▲早期DDR模組使用TSOP封裝,此為單面的記憶體模組。
▲使用的是Hynix顆粒,型號為HY5DU12822CTP
▲DDR各代的防呆位置都不同,上至下依序為DDR、DDR2、DDR3。

DDR 2 SDRAM:第二代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體

DDR2是基於DDR的基礎設計,因為預取量從原本的2bit提升為4bit,原先I/O的時脈已經無法滿足這樣的運作需求,DDR2的I/O時脈是DDR的2倍,也就是266、333、400MHz。核心時脈同樣有133~200MHz的各類型顆粒,I/O時脈提升的影響下,此時的DDR2等效時脈約為533~800MHz不等,也就是常見的DDR2-533、DDR2-800等記憶體規格。
▲DDR2於2003年上市,後來衍生出多款GDDR顆粒。
▲FBGA封裝是DDR2顆粒的特色,該封裝方式有助於高時脈下運作的穩定性,DDR2顆粒皆是FBGA封裝。

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DDR 3 SDRAM:第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體

終於到了我們現在用DDR3了,DDR3依舊是基於DDR2的架構,預取從4bit提升為8bit。跟DDR2相同的理由,I/O時脈亦從266MHz提升為533MHz以上,至於等效時脈,則提升到1066~1600MHz不等。從DDR3的規格不難看出,I/O時脈與等效時脈相較於SDR時期,已有大幅度的提升。也有人認為,DDR3的時脈已經到達瓶頸,DDR4得在設計與製程上進步才有可能延續下去。
▲DDR3是目前主流的記憶體規格。
▲此模組為單面設計,單面8顆顆粒背面則是一片空白。
▲搭載的是Qimonda 1DSH1G顆粒,該類顆粒亦有出現在顯示卡上。

DDR 4 SDRAM:第四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體

DDR4原先預計2013年發表,但2014年下半年才比較有可能實際應用。JEDEC先前已經制定規範,DDR4不相容於先前的腳位,採用284pin的配置。DDR4仍會有R-DIMM、LR-DIMM、SO-DIMM、U-DIMM等規格,體積小、發熱低、功耗少會是DDR4的明顯特色。DDR4等效時脈從2133MHz起跳,最低容量是4GB,低電壓也是其特色,標準版本應該是1.2V。終於看完系統記憶體的部分,接下來GDDR的部分會比較有趣,畢竟是個意外的產物,故事說也說不完。
▲DDR各代的PIN數並不同,DDR4的PIN數是284。圖片來源:AnandTech
▲電壓下降時脈提升是各代主要的改變,DDR4電壓只有1.2V。

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GPU特殊需求導致GDDR誕生

說完系統用的DDR之後,再來了解顯示卡使用的GDDR(Graphics Double Data Rate)是什麼。最初顯示卡使用的記憶體顆粒,與系統用的記憶體顆粒並無不同。當時GPU運算效能有限,即使使用相同的顆粒也沒有太多的問題,或是造成效能瓶頸。但隨著GPU快速發展,系統用的記憶體顆粒已經無法滿足GPU的使用需求,這也導致DDR的變種GDDR的誕生。
▲GDDR4先天與後天都相當悽慘,加上只有AMD使用,市占率非常悽慘,稍後會在說明這故事。

GPU對記憶體的3項要求

GPU與CPU的應用需求有哪裡不同呢?主要可歸納出3個方向。首先是GPU比CPU更需要大頻寬,GPU與記憶體之間的資料量交換遠高於CPU,頻寬低容易造成效能瓶頸。記憶體頻寬=工作時脈x記憶體介面頻寬,三者對於GPU都很重要,要增加記憶體頻寬的方式,可透過提升工作時脈或是增加介面頻寬。
其次是記憶體介面頻寬(Memory Interface Width),顯示卡對於PCB佈線要求較高,要提升記憶體介面頻寬可透過增加記憶體顆粒來達到,但PCB面積有限,自然不可能沿用介面頻寬較小的標準顆粒。DDR系列記憶體的介面頻寬一直都是64bit,單顆記憶體顆粒則是4~8bit不等,而GDDR顆粒最初16bit到32bit都很普遍。
最後則是工作時脈,系統記憶體顆粒因為應用較廣,難以針對GPU最佳化。加上GPU的記憶體控制器比起北橋或是CPU內建控制器效能更出色,且GPU可針對記憶體顆粒最佳化,即便是高工作時脈也沒問題,自然比處處受限的標準顆粒適合用於GPU。由於應用面的需求差異,系統記憶體與顯示記憶體分家是必然的結果,也就誕生了GDDR顆粒。
▲GDDR家族比DDR還要龐大,但基本上都是由DDR衍生而來。

GDDR與DDR相近但細節不同

既然GDDR是DDR的變種,規格方面自然非常接近。第一代的GDDR顆粒預取同樣是2bit,甚至是時脈方面也與DDR版本相當。直到後期改進製程,且部分顯卡對於GDDR顆粒最佳化,此時的GDDR運作時脈最高可達900MHz左右,相比同期的DDR顆粒差距很大。
最初16bit的TSOP封裝GDDR顆粒外觀、規格與DDR相當接近,但在細節規格上還是有些許不同。像是GDDR顆粒是採用4K循環,周期是32ms,DDR顆粒則是8K循環,周期則是64ms。GPU對於記憶體延遲較不敏感,因此GDDR的延遲比DDR還高。為了提升效能,後來還有MBGA封裝的GDDR顆粒,單顆介面頻寬為32bit,這種高階用32bit顆粒,低階用16bit顆粒的模式,後來也延續下來。
至於GPU為什麼不重視延遲,主要在於GPU強調的海量的資料數據佔滿頻寬,CPU則是要求瑣碎的資料但反應快速。有人比喻說,你想要喝可樂,可以請服務生從冰箱拿瓶來給你,或是打電話叫司機運整車的可樂給你,前者是CPU後者則是GPU的運作方式。
▲這是使用TSOP II封裝的GDDR顆粒,當年FX 5700共搭載8顆。來源:PCPOP
▲後期GDDR顆粒使用MBGA封裝,時脈可達到900MHz。來源:PCPOP

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第一代GDDR2高溫又高壓

GDDR2雖說DDR2的變種,且預取量同為4bit,但事實上GDDR2顆粒上市略早DDR2顆粒。首度支援DDR2的Intel 915P主機板約在2004年中上市,而使用GDDR2顆粒的顯示卡,像是FX5800 Ultra則約2003年初發表。當初NV30的FX5800 Ultra記憶體介面頻寬為128bit,當時GDDR的700MHz時脈無法滿足該卡的需求,因此選用GDDR2記憶體。
但因為製程仍與DDR、GDDR相同,2.5V的運作電壓下,導致功耗與發熱量過高。第一代GDDR2只有用在FX5800、FX5800 Ultra、FX5600 Ultra等少數顯卡上,高溫、高功耗、高成本給人的印象並不好。後期FX 5900捨棄GDDR2改用256bit且高時脈(約900MHz)的GDDR顆粒,讓第一代GDDR2顆粒就此消失,甚至連進入中低階市場的機會都沒有。
▲這GDDR2顆粒當年用在8400GE上,共計搭載8顆。來源:Expreview

第二代GDDR2顆粒搶攻中低階

你會說GDDR2明明在中低階市場到處都是,哪有因此而消失。沒錯,因為第一代GDDR2顆粒的失敗,後來廠商在DDR2的基礎上做出第二代的GDDR2顆粒(亦稱為gDDR2),基本上就是DDR2顆粒。此時的顆粒電壓從2.5V降低到1.8V,雖然最初時脈不高,但後期製程上去後,電壓1.8V時脈也能上到1000~1200MHz。且製程提升、成本降低、容量增加,導致中低階顯卡大量使用,像是NVIDIA的FX 7系列、AMD的X1600 Pro等顯卡,都是當年的代表產品。
至於小寫的gDDR2、gDDR3與大寫的GDDR2、GDDR3有什麼差別?普遍來說,大寫的GDDR代表專為顯卡推出的顆粒,而小寫的gDDR則是由DDR顆粒稍做改良而成,後者本質上與系統記憶體差異較小。GDDR源自於DDR,GDDR2來自DDR2,但GDDR3可不是從DDR3而來,千萬不要誤解。
▲會用gDDR2顆粒的大多是中低價的顯卡,效能無法與GDDR3相比,此處則是8500 GT使用的顆粒。來源:4gamer

GDDR3稱霸市場,源自DDR2顆粒

GDDR與GDDR2規格上都跟DDR、DDR2相似,無法滿足AMD與NVIDIA對於記憶體的需求,也因此積極加入JEDEC的規格制定,以符合自家對於記憶體的要求與適用性。AMD與NVIDIA雙方認為,核心時脈無法提升的情況下,透過I/O提升等效時脈並不合理,必須要針對高速環境重新設計I/O才能應付雙方的使用需求,這也是GDDR3的源起,也是實質意義上第一款針對GPU而推出的記憶體顆粒。
▲這張HD 5450使用的gDDR3版本,也就是DDR3顆粒,效能跟GDDR不是一個等級。
▲HD 4670使用的是GDDR3顆粒,GDDR3是顯示記憶體的里程碑。

DQS與I/O改良

GDDR3還有2個提升效率的設計,那就是DQS(data strobe)最佳化與I/O的改進。GDDR2時期只有1條DQS,且為單一雙向設計,GDDR3讀寫各有獨立的DQS,並為點對點設計。DQS增加的好處在於,若讀取之後緊接著需要寫入,不再需要等待DQS方向轉換,透過這種方式能夠增加讀寫效率。相較於DDR2、GDDR2,GDDR3的讀寫切換可以快1個週期,部分環境中GDDR3的讀寫效率可達GDDR2的2倍。GPU本身的快取(Cache)很小,GPU與顯示記憶體之間的存取十分頻繁,穿插讀寫動作,因此GDDR3點對點的DQS設計有助於提升GPU效能。對於CPU來說,本身就擁有大量的L2、L3快取,加上讀寫切換不如GPU,因而GDDR3的這項特色並沒有引入DDR3當中。
I/O方面也是GDDR3的改進方向,對於I/O控制電路與終結電阻進行修改,不再延用GDDR2與DDR2的Push Pull設計,改用Pseudo Open Drain Logic的方式,並將所有通過三相信號轉移到本位電路上,藉此簡化電路設計,可將電流量降低,達到降低功耗與溫度的目的。
▲GDDR3從Push Pull改為Pseudo Open Drain Logic。

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GDDR4短命的高價產品

相較於亮眼的GDDR3,GDDR4的命運可謂悲慘,不僅使用的顯卡寥寥可數,上市也僅約1年就被GDDR5取代。GDDR4是基於DDR3的架構而來,目的要取代以DDR2為基礎的GDDR3。設計方面,GDDR4的預取跟DDR3相同,皆為8bit設計,另外還有DBI(Data Bus Inversion)、Multi-Preamble等技術,有助於提升GDDR4的理論效能。
理論上高時脈的GDDR4會有比GDDR3更高的效能,但GDDR4的延遲亦高於GDDR3,這是高時脈必定帶來的產物。至於為什麼會這麼短命?一來部分廠商像是當年的Qimonda就跳過GDDR4直接研發GDDR5。再者,部分人認為,GDDR4的成本高是顯卡廠商不想使用的原因之一,理論上GDDR4等效時脈可達GDDR3的2倍,但受到製程與技術限制,出貨的GDDR4顆粒大多2~2.5GHz,後期GDDR3也靠著製程也追平這項優勢。當兩者效能相當,且GDDR3更加便宜,效能更強改進更多的GDDR5出現時,GDDR4就快速被取代。
▲GDDR4由三星獨撐大局,其餘廠商則是致力於榨乾GDDR3的潛力。但由於只有AMD少數高階卡使用,廠商投入少且NVIDIA不買單,最終面臨淘汰的命運。

GDDR4規格制定的八卦

先前有提過,AMD與NVIDIA為了GPU的發展而加入JEDEC。但在規格制定過程中,有人認為雙方的理念不同導致GDDR4最終面臨短命的下場。NVIDIA認為預取應該維持4bit,但AMD(當年是ATI)認為可以直接用8bit技術,爭執的結果是AMD陣營的規格獲勝。事情就結束了嗎?當然沒有,GDDR4這新規格誕生後因為理念不合,NVIDIA直接捨棄GDDR4,所以你在市面上看不到任何使用GDDR4顆粒的NVIDIA顯卡。一方面GDDR4瞬間失去過半的顯示卡市場,也間接讓記憶體廠商對於GDDR4感到存疑不敢貿然投產。
最終GDDR4由三星單獨支持,其餘廠商則是致力於榨乾GDDR3的潛力,這就誕生先前說過的高時脈GDDR3顆粒。GDDR4在沒有價格、製造商、顯示卡廠商等支持下,必然走向滅亡。最終GDDR4只有出現在X1950XT、HD 2900XT、HD 3870等顯卡上面,雖然橫跨3個世代,但最終難逃被GDDR3與GDDR5夾殺的命運,最後連AMD都率先搭載了GDDR5。

GDDR5超高時脈的顆粒王者

GDDR5超高的時脈是怎麼達成的?GDDR5仍使用DDR3的8bit預取技術,但DQ數量擴增為2倍。過去DDR、DDR2、DDR3以及GDDR、GDDR2、GDDR3、GDDR4都是透過DDR(Double Data Rate)技術在波形周期上端下端各傳送1次數據,官方的時脈乘以2就是等效時脈。但GDDR5有2倍的DQ,因此時脈必須乘以4才會是等效時脈。像是HD 4870使用的GDDR5顆粒時脈為900MHz,但不少人習慣視為3600MHz。
GDDR4的失敗並未讓AMD喪失嘗試的勇氣,即便GDDR4碰到效能瓶頸,加上R600(HD 2900)使用512bit記憶體控制器的表現不如預期,甚至讓後來的RV670(HD 3800)換回256bit控制器。多種情況影響下,AMD迫切需要提升效能的良方,後續的RV770(RV770 XT、RV770 PRO、RV770 LE)依然使用256bit控制器,介面頻寬不變的情況下,只能將希望放在下一代記憶體顆粒也就是GDDR5上。
從結果論來看,當時AMD率先使用GDDR5顆粒的確是明智之舉,HD 4870搭配256bit的GDDR5記憶體效能,優於GTX 260使用448bit的GDDR3,迫使GTX 260透過更新製程(65nm改55nm)、調整售價等方式應戰。
▲高階卡正反面都有配置記憶體顆粒,此為GTX TITAN。
▲GDDR5是目前高階卡使用的主流顆粒,效能優於GDDR3。

延續DBI技術、簡化佈線

其實GDDR5還有不少細節上的改進,並延續GDDR4的DBI(Data Bus Inversion)技術。DBI是GDDR4用於省電的技術,簡單來說,每1Byte的8個值當中,如果超過一半是0,那麼就會自動執行訊號轉位,把0變成1,1變成0,並透過附加的DBI來判斷是正位或是反位。為什麼這麼做呢?因為先前我們提到記憶體必須經常充電,而在0的狀態下必須要持續消耗電能(1是無電荷)。減少0的數量就能降低充電次數達到省電目的。I/O控制器亦加入新的校準技術,確保GDDR5顆粒能適應GPU記憶體控制器的需求。
此外,雖然GDDR5的針腳更多,但佈線更加精簡,過去必須透過蛇行走線平衡延遲,但GDDR5在處理時間延遲與訊號強度上更為出色,有助於PCB佈線精簡化,並減少設計成本。GDDR5身為高階顯卡的顆粒介面規格為32bit,透過2條平行的DQ,能夠讓32bit的顆粒當成16bit的顆粒。1個32bit的控制器就能控制2顆GDDR5顆粒,達到用介面換取容量的目的。雖說先前的記憶體也有類似的技術,但運作方式並不相同。
▲簡化佈線是GDDR5的特色,可看到GDDR3為了延遲而有許多蛇行走線。來源:PCPOP
▲此為GDDR3顆粒附近的蛇行走線圖,可看到許多彎折的線路。
▲GDDR5能透過減少介面頻寬的方式,來讓控制器連接更多的記憶體顆粒,達到提升容量的目的。

互相依存的2大家族

看到這裡應該能了解DDR與GDDR顆粒之間的關係,DDR是針對CPU需求而開發的記憶體,而GDDR則是更針對性地對顯示卡最佳化。前者有低時脈低延遲的特性,後者則因為海量的傳輸需求,記憶體顆粒特性為高時脈高延遲。當然,記憶體的運作原理與背景絕對不只這些內容,數10年來的記憶體故事也不會只有短短幾千字的篇幅,但礙於再不交稿就會完蛋的情況下,本篇只好著重於記憶體的基本運作、DDR、GDDR家族的特色,希望能讓各位在這篇文章中得到一些收穫。

笑話

政治係:如果政府規定一個人一生隻能找一個女子,我情願那個人就是你,我無怨無悔,至死不渝!但偏偏政府沒規定……那就算了! 
法律係:可愛的你偷走我的情、盜走我的心,我決定告你上法庭,該判你什麼罪呢?法官翻遍所有的犯罪記錄和案例,最後陪審團一致通過:判你終身歸我。 
生物係:如果有來世,就讓我們做一對小小的老鼠吧。笨笨地相愛,呆呆地過日子,拙拙地依偎,傻傻地一起。即便大雪封山,還可以窩在草堆緊緊地抱著咬你耳朵…… 
機械係:我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你我愛你塞北的雪。對不起,卡帶了。 
師範幼教專業:一個三歲的小男孩拉著一個三歲的小女孩的手說:“我愛你。”小女孩說:“你能為我的未來負責嗎?”小男孩說:“當然能!我們都不是一兩歲的人了!” 
金融管理係:收此信息你就是喜歡我了,刪除你就是暗戀我了,回信息你就是想娶我了,不回則答應娶我了,修改就死都是我的人,儲存則下輩子都歸我!你就看著辦吧! 
環衛係:天氣預報:今天淩晨到白天有時想你,下午轉大到暴想,預計心情將由此降低五度。受延長低氣壓帶影響,預計此類天氣將持續到見到你為止。 
曆史係:據說最早的愛情詩是這樣寫的:你來自雲南元謀,我來自北京周口,牽著你毛茸茸的小手,輕輕地咬上一小口,啊!是愛情讓我們直立行走! 
廣告設計係:征婚啟事:男,本科,隻差幾分;在跨國機構上班,麥當勞擦桌子;有房,多人擁有;有車,非機動;覓貌美女青年共赴黃泉,若幹年後。 
中文係:昨晚我托一隻蚊子去找你,讓它告訴你我很想你,並請它替我親親你,因為現在我無法接近你!它會告訴你我多想你!你問我愛你有多深?大包代表我的心! 
表演係:你的眼睛眨一下,我就死過去了,你的眼睛再眨一下,我就活過來了,你的眼睛眨來眨去,我就死去活來。 
數學係:知道我在做什麼嗎?給你5個選擇:A、想你;B、很想你;C、非常想你;D、不想你不行;E、以上皆是。

中央車站:世界最大火車站的11處秘密

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前天 01:35 PM


位於紐約曼哈頓的42街與Park Avenue交界的中央車站是紐約的地標建築之一。擁有44個月台及67條軌道的中央車站就是全世界最大的火車站。它的月台都位於地下兩層樓麵。主要提供紐約上州與康乃迪克州和曼哈頓之間的鐵路交通,每天的迎來送往旅客約12.5萬人,更有高達70萬人次每天會經過中央車站。也許你每天經過中央車站,但是中央車站的這些秘密,你知道嗎?


秘密一: 被抹黑的天花板
觀察中央車站西北角的天花板與拱形石塊的交界處,會發現有一小片黑色的色塊。難以想象整塊天花板都是這樣深沉的顏色。在1990年中央車站修葺以前,整個中央車站的大廳屋頂就是一片黑。而這一小塊黑色色塊被保留下來供後人比較。而原線的屋頂為什麼會是一片黑呢?原來是被當時香煙中的尼古丁還有煙草殘渣給熏黑了。

秘密二: 天花板上一個洞?
在中央車站屋頂的中央畫滿了星座圖,就在雙魚座圖案的旁邊,仔細觀察看會赫然發現雙魚座的上方不遠處有一個黑色的小洞,這個洞可以算美俄太空競賽的一個紀念品。當年就在蘇聯已經領先美國成功地發射一顆人造物在軌道上運轉時,美國為了教育大眾在太空競賽上領先的重要,就決定要把一艘火箭(Redstone Rocket)拿來在中央車站展示。在搬運的過程當中,因為事先沒有測量好,結果屋頂就被戳了一個洞。最後火箭是被吊車送進來展示的。而那個戳破的洞一直保留到現在。

秘密三: 中央車站最貴重的東西
中央車站最貴重的東西隻要一踏進大廳就能看到!那就是位在大廳中央詢問台屋頂的那一座四麵鍾。據專業拍賣公司估價,這個鍾的價值在一千萬美元以上。

秘密四: 永遠不正確的時刻表,永遠不準時的火車
車站的火車時刻出發表的時間全部都是錯的。假設火車上的時間表顯示12:55分出發,那火車會在12:56分才會出發。為了乘客的安全,所有的火車都會晚一分鍾左右才出發。

秘密五: 為了不同而不同
中央車站大廳東側的大理石樓梯是在1990年代仿照1913年的樓梯建造的。然而這個新建的樓梯卻比大廳另一邊的樓梯要窄一英吋。並不是因為當時的技術沒有辦法重建得一模一樣,隻是為了昭示後代這兩個樓梯並不是在同一個時間建造的。

秘密六: 回音廊
中央車站最老的一間商家”Oyster Bar Restaurant”外,有個拱形屋頂的空間。這就是傳說中的”Whispering Gallery”回音廊。如果你站在一個角落,麵向柱子輕輕說話,那遠遠站在對角麵向柱子的朋友就可以很清楚地聽到你的聲音。這采用的是最簡單的聲波完整反射的原理。

秘密七: “壓扁的菠蘿”
在中央車站處處可以看到類似”壓扁的菠蘿”的雕像。那其實是”Acorns”(一種橡樹果),是當初建造並且擁有中央車站的Vanderbilt家族的象征。位於田納西州的美國南方名校Vanderbilt University也是這個家族建立的。

秘密八: 故意的錯誤?
來到中央車站,很難不注意到畫在大廳屋頂美麗的星座黃道圖。然而有人發現,整個星座圖跟我們在地麵上看到的天空正好是相反的。這個錯誤讓Vanderbilt家族大吃一驚,不過他們馬上想到一個能夠自圓其說的解釋,那就是這個設計是以神的視野出發,從天上看下來的觀點。所以才會裏外相反。

秘密九: 小氣的紐約時報
之前還有一個中央車站的秘密,就是當天的報紙根本不用花錢買,隻要到”資源回收”的容器去拿,就有別人丟棄的各種報紙。而紐約時報在2001年要求中央車站重新特別設計一個專門回收報紙的資源回收桶。這種新的回收桶,報紙隻能進不能出,大家就沒有免費的報紙可以看了。如今每天早上中央車站大概可以回收一噸的報紙!

秘密十: 不為人知的地下秘密房間
中央車站真如同007情報員電影一般刺激的神秘設計。在大廳地下有個曾經在二次世界大戰期間被徳軍視為目標的秘密房間。在這個房間中有一個紅色的緊急按鈕可以讓所有的交通停止運行。而這個房間的深度甚至達到曼哈頓島的超堅硬地下床岩當中。

秘密十一: 羅斯福總統的專屬密道
在中央車站地下秘密房間北邊一點的地方,也就是Waldorf-Astoria的旅館正下方,有個連中央車站都否認的秘密平台。這個平台的客人從以前到現在隻有一位,那就是Franklin D。 Roosevelt。他當年使用這個軌道火車還有月台,以及一台專屬電梯,為了避免讓公眾看到他癱瘓的身體。